再投入1700亿！国家存储器基地二期开建，闪存仅4年打破美...

再投入1700亿！国家存储器基地二期开建，闪存仅4年打破美韩垄断

全球半导体市场的暴涨或者暴跌，只需要存储器供给和需求间1%的市场波动就会发生，这是世界最大芯片代工厂——台积电创始人张忠谋对存储器重要性的描述。根据2018年全球集成电路的市场份额数据显示，存储器的市场占有率高达30%，其1650亿美元的规模是集成电路市场的最大头，超过逻辑电路、模拟电路和微处理器的份额。虽然技术含量相较于计算芯片弱，但作为全球需求最多的一类芯片，存储器在中国半导体行业的重要性不言而喻，也是国产芯片打破国外垄断的重要一环。

出品｜国器

总投资近1700亿的国家存储器二期项目开建剑指每月30万片的产能

随着数十辆工程车辆整装待发，2020年6月在位于武汉东湖高新区的工地上，总投资近1700亿元的国家存储器基地二期正式宣布开工建设，作为中国研发生产3D NAND闪存芯片的重点项目，在一期原有的基础上，其建成目标直指每月30万片的产能。目前全球存储器的市场基本被美韩所掌握，韩国三星、海力士和美国美光、西部数据四家公司基本决定了存储器市场的话语权。在2016年之前我国国产存储芯片的市场基本为零，在这种极易被国外卡脖子的背景下，国家存储器基地便应运而生了。

世界存储器市场的话语权基本被美韩两国的企业所掌握

存储器也被称之为存储芯片，其中最为主要的当属DRAM内存和NAND flash两类，而2018年在我国进口3120亿美元的各类芯片中，这两类存储芯片的份额就占到了1230亿美元。其中DRAM内存也被称之为动态随机存储器，其处理数据的能力比闪存更快，但是存储数据的时间仅能在设备断电之前。NAND闪存别名非易失性存储器，其是计算机等设备长期存储数据的位置。而我国从无到有、对存储器芯片攻关的首选方向，就是从NAND flash闪存芯片开始。

全球存储器特别是闪存芯片技术已经过数十年的发展

从1984年日本舛冈富士博士率先研发出ULSI闪存以来，如今闪存芯片已经经过了数十年的发展，但我国从2016年开始还是毅然决然展开了闪存芯片的攻坚之路。2017年年初总造价同样是近1700亿元的国家存储器基地开建，在国家集成电路产业基金会的大力扶持下，由紫光集团旗下的长江存储对整个项目进行规划。国家存储器总共分两期建成，主要包括三座3D NAND flash工厂和一座研发大楼，用于目前最为主流的闪存芯片——3D NAND的研发和生产。

短短4年中国闪存已经追赶上世界一流梯队弥补了数十年的差距

中国速度从基建贯彻到半导体芯片领域，2017年11月由上千人研发、紫光集团主导的32层3D NAND闪存被攻克。不到两年时间也就是去年5月份，中国的闪存技术已经与韩国三星仅仅只有一代的距离，紫光再次拿下64层堆栈的闪存技术。按闪存布局来说紫光下一步的研制目标将是96层闪存，但2020年4月长江存储直接越过96层宣布攻克128层堆栈闪存，中国仅用4年时间追赶上世界存储的一流水平，而国家存储器基地的建设将在芯片产能上进行最后的攻关。

来源头条号：国器CountChine